教师简介
谢泉，博士后、博士、教授、博士生导师、硕士生导师，原3044am永利集团3044noc院长，电子科学与技术学科带头人,贵州省先进光电子材料与技术创新团队负责人，贵州省电子科学与通信工程人才基地负责人，贵州省教育厅电子科学与技术特色重点学科负责人，中国中小企业融资项目评审咨询专家，国家自然科学基金同行评议专家，教育部电子信息类专业教学指导委员会委员，教育部电子信息类专业教学指导委员会教材编写委员会委员，中国仪器仪表学会高级会员，贵州省科技厅新材料专家组成员，贵州省科学决策学会常务理事，电子元件与材料期刊理事，国际期刊Phys. B 等多家期刊特约审稿人，民进贵州省委员会副主任委员，贵州省第十二届全国人大代表，3044am永利集团3044noc新型光电子材料与技术研究所所长，民进3044am永利集团3044noc基层委员会主任，3044am永利集团3044noc留学归国人员联谊会会长，贵州省留学归国人员联谊会常务理事，贵州省第八届青年联合会副主席，民进贵州省委第五、六届副主委，贵州省第九、十届政协委员。
研究方向:环境友好先进光电子材料与器件、传感器与传感系统、材料模拟与技术
办公地点:3044am永利集团3044noc崇理楼312
联系方法: 1476451077@qq.com
主要经历
本科：中南大学材料科学与工程系金属物理专业
硕士:湖南大学物理科学与微电子学院理论物理专业
博士：湖南大学化学化工学院无机非金属材料专业
博士后：中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博士后流动站
1990,7—1993,2湖南邵阳玻璃厂技术科工作
1993,3—1998,6湖南大学物理科学与微电子学院工作
1998,6—2004,2长沙理工大学物理与微电子学院工作
其中：
1998，6—2000,6 中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博
士后流动站工,
2001，10—2002,10 日本saitama 大学大学院机能材料工学科访问学者
2004,2—现在3044am永利集团3044noc电子科学与技术系工作
其中： 2015,1，8—2016,1，7，北京市顺义区政府副区长（挂职1年）
所获荣誉
1.2015年获贵州省首届研究生教学成果二等奖
2. 2014年获贵州省首批优秀博士生导师
3.2012年获贵州省科技进步三等奖
4.2009年贵州省首届青年科技创新人才奖
5．2009年获3044am永利集团3044noc优秀科研特等奖
6．2007年获贵州省五一劳动奖章
7. 2007年获第2届中国归国侨眷“科技人才创新”奖
8. 2006年获全国各民主党派、工商联、无党派人士为全面建设小康社会作贡
献全国先进个人
9. 2006年获为全面建设小康社会作贡献民进中央全国先进个人
10. 2006年获贵州省第2批优秀科技工作者
11. 2005年获民进中央全国优秀会员
12. 2007年获3044am永利集团3044noc逾十年教龄“教书育人风范奖”
13. 参加完成的科研课题获2001年国家自然科学二等奖等
主要贡献
研究项目 ：
主持的科研项目：
[1]贵州省高层次创新型人才-百层次培养项目，贵州省科技厅，2015.01-2017.12，60万，主持。
[2]贵州省特色重点学科建设-电子科学与技术，贵州省教育厅，2014.10-2017.10，20万，主持。
[3]电子科学与技术品牌特色专业建设，3044am永利集团3044noc品牌特色专业建设项目，合同号: PTJS201302，2014.1-2016.12，60万，主持，教学科研项目；
[4]贵州省电子科学与通信工程技术人才基地，贵州省委组织部贵州省第四批人才基地项目，2013.12-2016.12，100万，主持；
[5]基于环境友好半导体材料β-FeSi2、Mg2Si的光电子器件设计与研究，国家自然科学基金，合同号: 61264004，2013.1-2016.12, 50万，主持；
[6]环境友好半导体光电子材料Mg2Si红外传感器的开发研究，贵州省教育厅125重大专项，合同号：黔教合重大专项字[2012]003，2012.10-2015.12，80万，主持;
[7]贵州省先进光电子材料与技术创新人才团队，贵州省科技创新人才团队建设专项资金,合同号：黔科合人才团队[2011]4002, 2011.10-2014.10，31.5万，主持；
[8]硅化物LED光电子器件开发，贵州省科技攻关项目，合同号：黔科合GY字[2011]3015，2011.6-2014.5，35万，主持；
[9]半导体材料Si、Ge及SiGe合金液态凝固过程中的遗传特性研究，贵州省国际科技合作计划项目，合同号：黔科合外G字[2012]7004，2012.6-2014.5，10万，主持；
[10]新型环境友好半导体材料β-FeSi2及其光电子器件的研究，科技部国际合作专项项目，合同号：2008DFA52210, 2008.1-2010.12，80万，主持；
[11]新型环境友好半导体材料β－FeSi2薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用研究，贵州省信息产业厅项目，合同号：0831，2008.6-2010.6，10万，主持；
[12]环境半导体材料Ca2Si的制备与应用研究，国家自然科学基金项目，合同号：60766002， 2008.1-2010.12, 20万，主持；
[13]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术，国家自然科学基金项目，合同号：60566001，2006.1-2008.12，20万，主持；
[14]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究，贵州省优秀科技教育人才省长专项基金，合同号：黔省专合字（2005）365号，2006.1-2008.12，6万，主持；
[15]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究，国家人事部留学人员科技活动择优资助项目，2005.1-2006.12，4万，主持；
[16]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究，贵州省科技厅国际科技合作项目，合同号: 黔科合G（2005）400102，2005.1-2007.12，4万，主持；
[17]薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备，光电子特性与应用研究，教育部留学回国科研基金，合同号：教外司（2005）383，2005.1-2006.12，3万，主持；
[18]掺杂（Mn、Cr）环境半导体材料β-FeSi2的研究，贵州省优秀青年科技人才培养计划，合同号: 黔科合人20050528，2005.1-2008.12，21万，主持；
[19][15]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究，3044am永利集团3044noc引进人才科研项目，2004.6-2006.12，8万，主持；
[20]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究，贵州省留学人员科技项目，合同号：黔人项目（2004）03；2005.1-2006.12，3万，主持；
[21]纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究，省委组织部高层人才科研特助项目；2006.1-2008.12，5万，主持；
[22]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术，教育部博士点专项科研基金，合同号：20050657003, 2005.1-2006.12，6万，主持；
[23]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的开发与应用研究，贵州省教育厅重点项目，合同号：黔教科2004103,2004.9-2006.12，3万，主持；
[24]掺杂（Mn、Cr）环境半导体材料β-FeSi2的研究，教育部科学技术重点项目，合同号：206133，2005.1-2007.12，2万，主持；
附指导的博士、硕士申请的项目：
[1]磁控溅射制备环境半导体b-FeSi2及其物性研究，贵阳市科技局大学生创业科技项目，合同号：2007筑科计合同字第6-3号，2007.12-2008.12，1.2万，04级博士生张晋敏主持；
[2]环境友好半导体材料Ca2Si的物理基础及关键技术的研究。贵州省教育厅重点项目，合同号：No.2006212，2006-2009，05级博士生杨吟野主持，
[3]磁控溅射制备环境半导体Ca2Si及其性质研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合No.(2007)2177，2007-2010，05级博士生杨吟野主持
[4]新型环境半导体材料Ca2Si的物理基础与关键技术研究。贵阳市科技计划项目，合同号：No. (2006)21-4，2006-2009，1.5万，05级博士生杨吟野主持
[5]Mg2Si电子结构及光学性质的研究及其应用，贵阳市科技计划项目，合同号：筑科计（2007）6号），2008.01-2009.12，2万，06级博士生陈茜主持；
[6]Mg2Si电子结构及光学性质的研究，3044am永利集团3044noc研究生创新基金，合同号：省研究理工2007003，2007.9-2009.4，06级博士生陈茜主持；
[7]磁控溅射制备BaSi2薄膜材料及其光电特性研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2010]2002号，2010.6-2012.12，06级博士生杨子义主持，
[8]环境半导体材料BaSi2的制备工艺及其光电特性研究，贵阳市科技计划项目，合同号：[2009]筑科大合同字第6号，2009.10-2011.09，06级博士生杨子义主持，
[9]环境半导体材料Mg2Si的磁控溅射制备及其性质研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2009]2059号，2009.6-2012.5，4万，07级博士生肖清泉主持；
[10]环境半导体材料Mg2Si的制备及其光电性质研究，贵阳市科技计划项目，合同号：[2008]筑科计合同字第15-3号，2008.10-2010.9，1.2万，07级博士生肖清泉主持；
[11]液态Si凝固过程中团簇结构形成和演变特性的研究，贵州省研究生创新基金，合同号：省研理工2010010，2009.10月-2011.4，09级博士生高廷红主持;
[12]掺杂（Mr、Cr）及不同取向Ca2Si晶体电子结构及光学性质的研究，3044am永利集团3044noc研究生创新基金，合同号：校研理工2006004，2007.3-2009.2，06级硕士生赵凤娟主持;
[13]新型环境友好半导体材料Ru2Si3的电子结构及光学性质的研究，3044am永利集团3044noc研究生创新基金，合同号：校研理工2009010，2008.11-2010.2，07级硕士生崔冬萌主持;
[14]掺杂（Cr、Mn）环境半导体材料β-FeSi2的研究，贵阳市科学计划项目，合同号：2007筑科计合同字第6-1号，1.3万，2007.12-2009.12，05级硕士生梁艳主持;等。
发表论文：
[1]Ma R, Wan M, Huang J, 等. Calculation of electronic structure and mechanical properties of DO3–Fe75-xSi25Nix intermetallic compounds by first principles[J]. International Journal Of Modern Physics B, 2015: 1550087
[2]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Molecular dynamics simulation of nanocrystal formation and deformation behavior of Ti3Al alloy[J]. Computational Materials Science, 2015,98: 245-251 （SCI、EI）
[3]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Influence of the isothermal process at glass transition temperature on growths of Frank–Kasper polyhedral clusters in TiAl3 alloy[J]. Journal Of Non-crystalline Solids, 2014,406: 95-101 （SCI、EI）
[4]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Network connectivity in icosahedral medium-range order of metallic glass: A molecular dynamics simulation[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,406: 31-36 （SCI、EI）
[5]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Growth of icosahedral medium-range order in liquid TiAl alloy during rapid solidification[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,394-395: 16-21 （SCI、EI）
[6]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, et al. Glass formation and icosahedral medium-range order in liquid Ti-Al alloys[J]. Computational Materials Science, 2014: 502–508SCI（SCI、EI）
[7]Qin Xinmao, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Xie Quan. Molecular Dynamics Simulation of Graphene Bombardment with Si Ion[J]. Journal of Molecular Structure，2014，1061:19-25. (SCI)
[8]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Qin Xinmao, Xie Quan. Evolution of icosahedral clusters during the rapid solidification of liquid TiAl alloy[J].Physica B: Condensed Matter, 2014，440 :130–137.(SCI)
[9]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin. Electronic structure and ferromagnetism of Fe11NiSi4, Fe11CoSi4, Fe11CrSi4 and Fe3Si from first principles[J]. Intermetallics. 2014, 46:12-17. (SCI)
[10]YU Hong, XIE Quan, CHEN Qian. Effect of Mg-Film Thickness on the Formation of Semiconductor Mg2Si Films Prepared by Resistive Thermal Evaporation Method[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition), 2014, 29(3): 612-616. (SCI)
[11]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qin Yunxiang，Xie Quan. Structural evolutions and properities of germanium clusters during rapid cooling processes[J]. Modern Physics Letters B，2013，27 (32)：1350241-1-9.(SCI)
[12]Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg2Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705. (SCI)
[13]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin, Yan Wanjun, Guo Xiaotian. Theoretical study on the electronic structures and magnetism of Fe3Si intermetallic compound[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2013,552(3): 324-328.（SCI、EI）
[14]MA Rui, XIE Quan, HUANG Jin, GUO Xiaotian, YAN Wanjun. First Principles Study on Elastic Constants, Ferromagnetism and Electronic Structures of Alloyed Fe3Si Doped with Mo, Ti or Nb [J]. Chin.Phys. Lett. 2013, 30(12): 127104. (SCI)
[15]Ma Rui, Huang Jin, Xiong Xicheng, Fan Menghui, Yan Wanjun, Xie Quan. Structure stability and ferromagnetism of carbon alloying Fe3Si compound from first principles calculations[J]. physica status solidi (c), 2013, 10(12): 1750-1752. (EI)
[16]Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775. (SCI/ EI).
[17]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation[J]. SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2013, 56(9): 1699-1704. (SCI /EI)
[18]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Structural Properties of Liquid SiC during Rapid Solidification[J]. The Scientific World Journal. 2013, 2013: 7pages. (SCI)
[19]Yan Wanjun, Xie Quan, Gao Tinghong, Guo Xiaotian. Microstructural evolution of SiC during melting process[J]. Modern Physics Letters B, 2013, 27(31): 1350231(11pages) . (SCI)
[20]Yan Wanjun, Gao Tinghong, Guo, Xiaotian, Xie, Quan. Structural characteristics of liquid SiC during quenching process[J]. Physica Status Solidi (C), 2013, 10(12):1777-1780.(EI)
[21]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qing Yunxiang, Xie Quan. Structural properties in liquid Si during rapid cooling processes[J]. Physica B: Condensed Matter, 2013, 419: 28-31. (SCI/EI)
[22]Xiong Xicheng, Xie Quan, Yan Wanjun. Relationship between the thickness of β-FeSi2 thin film and the solar photo wavelength[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2012, 25(2): 315-319. (SCI)
[23]Zhu Changyin, Xie Quan. Simulation study of microstructure transition of liquid Ge during rapid cooling solidification[A]. Materials Science Forum, 2011:1306-1309.（EI）
[24]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. （EI）
[25]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 126-129. （EI）
[26]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of Heat Treatment on Growth of BaSi2 Film On Si (111) Substrates[A]. Materials Science Forum, 2011:1273-1276. （EI）
[27]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of annealing temperature on the structure and surface feature of BaSi2 films grown on Si (111) substrates[J]. Physics Procedia, 2011,11: 118-121. （EI）
[28]Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting Mg2Si Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169. （EI）
[29]Xiao Qingquan, Xie Quan, Yu Zhiqiang, et al. Influence of sputtering power on the structural and morphological properties of semiconducting Mg2Si films[J]. Physics Procedia, 2011,11: 130-133. (EI)
[30]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804. （SCI、EI）
[31]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002(five pages). （EI）
[32]Gao Ran, Xie Quan. Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor Ca3Si4[J]. Physics Procedia, 2011,11: 99-102. （EI）
[33]Chen Qian, Xie Quan. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of Mg2Si epitaxial on Si (111)[J]. Physics Procedia, 2011,11: 134-137. （EI）
[34]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanović V, et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132. （EI）
[35]Yang Yinye, Xie Quan. Ca2Si crystal grown selectively by R.F.MS[J]. Journal of Natural Science of Helongjiang University, 2010,27(4): 542-545. （EI）
[36]Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al. First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg2Si[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242.（SCI）
[37]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 46-51. （SCI）
[38]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81. （SCI）
[39]Zhao Fenjuan, Xie Quan, Chen Qian, et al. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of BaSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(4): 580-586. （SCI）
[40]Yang Yinye, Xie Quan, Wang Yi, et al. Directly Grown Ca2Si Films on Si(100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power[J]. Journal Of Test And Measurement Technology, 2009,23(5): 402-406. （EI）
[41]Yang Yinye, Xie Quan. Selective Growth of Ca2Si Film by Annealing the Sputtered Ca Films with Different Thickness[J]. Journal of Material s Science & Engineering, 2009,27(5): 675-678.
[42]Yang Yinye, Xie Quan. A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time[J]. Journal of Materials Science, 2009,44(14): 3877-3882. （SCI、EI）
[43]Zhang Jinmin, Xie Quan, Yu Ping, et al. Preparation of α-FeSi2 by laser annealing[J]. Thin Solid Films, 2008,516(23): 8625-8628. （SCI、EI）
[44]Zhang Jinmin, Xie Quan, Zeng Wuxian, et al. Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems[J]. Journal of Semiconductors, 2007,28(12): 1888-1894. （EI）
[45]牟雪婷, 谢泉, 肖清泉, 等. 石墨和石墨烯填充导电硅橡胶的拉敏特性研究[J]. 电子元件与材料, 2015, 34(7): 24-27
[46]张宝晖, 谢泉, 肖清泉, 等. 溅射时间对于Mg2Si/Si 异质结的影响[J]. 电子元件与材料, 2015,34(7): 46-49
[47]杨云良, 廖杨芳, 姚震震, 等. Mg 膜厚度对Mg2Si 半导体薄膜结构及方块电阻的影响[J]. 半导体技术, 402015,40(7): 525-530
[48]唐华杰, 张晋敏, 金浩, 等. 椭圆偏振研究溅射气压对锰膜光学性质的影响[J]. 红外与毫米波学报, 2015,34(3): 347-351
[49]范梦慧, 谢泉, 岑伟富, 等. Tc-P 共掺杂单层 MoS2 光电特性的第一性原理计算[J]. 半导体光电, 2015,4: 013
[50]范梦慧, 谢泉, 蔡勋明, 等. 点缺陷对单层 MoS2 电子结构及光学性质的影响研究[J]. 原子与分子物理学报, 2015,32(003): 456-462
[51]范梦慧, 蔡勋明, 岑伟富, 等. 外压调制对 Cr-Se 共掺杂单层 MoS2 光电特性的影响[J]. 固体电子学研究与进展, 2015,2: 013
[52]范梦慧, 蔡勋明, 岑伟富, 等. 单层 MoS1. 89X0. 11 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 激光与光电子学进展, 2015,52(5): 163-170
[53]张学明, 马瑞, 谢泉. Ni掺杂量对Fe3Si合金微波吸收性能的影响[J]. 电子元件与材料, 2014,33(5): 38-42 （中文核心）
[54]闫万珺, 张忠政, 郭笑天, 等. 第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi2的光电特性[J]. 光学学报, 2014,34(4): 416002-416007 （EI）
[55]马瑞, 谢泉, 黄晋. 合金化效应对Fe3Si结构稳定性和力学性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2014,43(3): 665-770 （SCI、EI）
[56]刘怿辉, 谢泉, 陈茜. 硅基外延Mn4Si7薄膜电子结构与光学性质研究[J]. 材料导报, 2014,28(8): 9-12（中文核心）
[57]覃信茂, 谢卓成, 谢泉. 石墨烯改性研究进展[J]. 电子元件与材料, 2014,33(3): 1-4 （中文核心）
[58]邵飞, 张晋敏, 唐华杰, 等. 溅射Ar流量对Mn膜光学常数的影响[J]. 材料导报, 2014,28(3): 101-103（中文核心）
[59]闫万珺, 张春红, 周士芸, 等. 第一性原理计算Ti掺杂CrSi2的光电特性[J]. 原子与分子物理学报, 2014,31(1): 167-172（中文核心）
[60]李强, 谢泉, 马瑞, 等. 厚膜电阻的研究现状及发展趋势[J]. 材料导报, 2014,28(7): 31-37 （中文核心）
[61]唐华杰,张晋敏,金浩,邵飞,胡维前,谢泉. 溅射功率对金属锰膜光学性质的影响[J].物理学报,2013,62(24):2478031-6(SCI、EI)
[62]肖清泉,谢泉,沈向前,张晋敏,陈茜.Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜[J].功能材料,2013, 44(4): 585-589. (EI)
[63]余宏，谢泉，肖清泉，陈茜. Mg2Si半导体薄膜的热蒸发制备[J]. 功能材料，2013,44(8):1204-1207.（EI）
[64]余志强, 谢泉. 功率参数对光电薄膜Mg2Si择优取向的影响[J]. 压电与声光, 2013,35(3): 438--440
[65]丰云, 谢泉, 高冉, 等. K掺杂正交相Ca2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 材料热处理学报, 2012,33(9): 155-160. ( EI)
[66]崔冬萌, 贾锐, 谢泉, 等. Ru0.9375Mn0.0625Si3的电子结构及光学性质研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2012,41(10): 1775-1779. （SCI、EI）
[67]闫万珺, 周士芸, 谢泉, 等. Al 掺杂浓度对 CrSi2电子结构及光学性质的影响[J]. 光学学报, 2012,32(5): 516003. （EI）
[68]郑旭, 张晋敏，熊锡成，张立敏，赵清壮，谢泉. β-FeSi2异质结的制备及性质研究[J]. 功能材料，2012, 43(11): 1069-1071.（EI）
[69]马瑞, 谢泉, 赵清壮. 真空热压烧结制备 Fe3Si 基金属间化合物[J]. 材料导报, 2012,26(12): 6-8
[70]沈向前, 谢泉, 肖清泉, 等. 磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究[J]. 真空, 2012,49(1): 65-69
[71]沈向前, 谢泉, 肖清泉, 等. 磁控溅射辉光放电特性的模拟研究[J]. 物理学报, 2012,61(16): 165101（6pages）. （SCI、EI）
[72]王霞, 李宗宝, 谢泉, 等. (Fe, N) 双掺杂 MgF2电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 东北师大学报, 2012,44(3): 101-106. （中文核心）
[73]朱长银, 谢泉, 高廷红. 液态锗快速凝固过程中的分子动力学模拟[J]. 3044am永利集团3044noc学报: 自然科学版, 2011,28(1): 19-22
[74]闫万珺, 周士芸, 谢泉, 等. Co掺杂β-FeSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2011,31(6): 0616003(seven pages) . （EI）
[75]熊锡成, 谢泉, 闫万珺. β-FeSi2薄膜的厚度与光子波长的关系研究[J]. 光学学报, 2011,31(5): 0531004(five-pages). （EI）
[76]王朋乔, 谢泉, 罗倩. 掺杂 β-FeSi2的研究进展[J]. 材料导报, 2011,25(1): 26-30.
[77]沈向前, 谢泉, 肖清泉, 等. 磁控过程的计算机模拟[J]. 真空, 2011,48(3): 49-54.
[78]高冉, 谢泉. 金属问化合物 Ca3Si4光学性质的第一性原理计算[J]. 激光与光电子学进展, 2011,48(7): 142-148.
[79]崔冬萌, 贾锐, 谢泉, 等. Ru2Si3在应力作用下的第一性原理研究[J]. 发光学报, 2011,32(9): 907-912. （EI）
[80]朱长银, 谢泉, 高廷红. 冷速对液态 Ge 凝固过程中微观结构的影响[A]. 2010:389-392.
[81]赵珂杰, 谢泉, 肖清泉, 等. 环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展[J]. 中国光学与应用光学, 2010,3(5): 446-451.
[82]余志强, 谢泉, 肖清泉. 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析[J]. 光谱学与光谱分析, 2010,30(4): 1136-1140. （SCI、EI）
[83]余志强, 谢泉, 肖清泉. 狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响[J]. 物理学报, 2010,59(2): 925-931. （SCI、EI）
[84]杨子义, 谢泉. 粒子数表象中谐振子微扰问题的研究[J]. 信阳师范学院学报: 自然科学版, 2010,23(2): 195-198.
[85]杨子义, 郝正同, 谢泉. Ba3Si4的制备及电子结构的研究[J]. 材料导报, 2010,20(10):1-4.
[86]杨子义, 郝正同, 谢泉. 正交相BaSi2粉晶X射线衍射谱的计算[J]. 材料导报, 2010,24(2): 72-74.
[87]熊锡成, 谢泉, 张晋敏, 等. 基于FeSi2薄膜的太阳能电池研究[J]. 信阳师范学院学报:自然科学版, 2010,23(4): 632-635.
[88]熊锡成, 谢泉, 张晋敏, 等. 基于 β-FeSi2薄膜的异质结研究现状[J]. 材料导报, 2010,24(17): 15-20.
[89]肖清泉, 谢泉, 余志强, 等. Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备[J]. 材料导报, 2010,24(9): 5-7.
[90]罗倩, 谢泉, 王朋乔, 等. 固液反应球磨技术的研究进展[J]. 纳米科技, 2010,(5): 29-33.
[91]李旭珍, 谢泉, 陈茜, 等. OsSi2电子结构和光学性质的研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2016-2021. （SCI、EI）
[92]李旭珍, 谢泉, 陈茜, 等. 应力下OsSi2电子结构和光学特性研究[J]. 科学通报, 2010,55(9): 746-751. （SCI、EI）
[93]郝正同, 谢泉, 杨子义. Ba3Si4的制备及电子结构的研究[J]. 材料导报, 2010,24(20): 1-4.
[94]郝正同, 谢泉, 杨子义. BaSi2晶体结构及 X 射线衍射谱的研究[J]. 功能材料, 2010,41(10): 1816-1819. （EI）
[95]郝正同, 谢泉, 杨子义. 磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究[J]. 3044am永利集团3044noc学报: 自然科学版, 2010,27(1): 62-66
[96]高廷红, 谢泉, 朱长银, 等. 冷速对液态Ca7Mg3合金快速凝固过程中团簇结构的影响[J]. 功能材料, 2010,41: 393-396. （EI）
[97]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 等. Si 基外延 Ru2Si3电子结构及光学性质研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2021-2026. （SCI、EI）
[98]陈站, 张晋敏, 朱培强, 等. 金属间化合物Fe3Si的性质研究[J]. 功能材料, 2010: 1-4.
[99]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. V掺杂 CrSi2能带结构的第一性原理计算[J]. 云南大学学报: 自然科学版, 2009,31(5): 484-488
[100]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. 锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(10): 2848-2853. （EI）
[101]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. 应力作用下 CrSi2 电子结构的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(4): 587-591.
[102]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(2): 175-180.
[103]赵凤娟, 谢泉, 陈茜, 等. BaSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(2): 260-266.
[104]余志强, 谢泉, 肖清泉, 等. 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析[J]. 物理学报, 2009,58(8): 5318-5322. (SCI、EI）
[105]余志强, 谢泉, 肖清泉, 等. Mg2Si 晶体结构及消光特性的研究[J]. 物理学报, 2009,58(10): 6889-6893. （SCI、EI）
[106]谢泉, 陈茜, 肖清泉, 等. 开设物理及材料科学类课程情况调查[J]. 电气电子教学学报, 2009,31: 24-26.
[107]郝正同, 杨子义, 谢泉. 新型半导体材料 BaSi2的研究进展[J]. 材料导报, 2009,23(19): 28-31.
[108]高廷红, 刘让苏, 周丽丽, 等. 液态 Ca7Mg3合金快速凝固过程中团簇结构的形成特性[J]. 物理化学学报, 2009,25(10): 2093-2100. （SCI、EI）
[109]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 等. Si (001) 面上外延生长的 Ru2Si3电子结构及光学性质研究[J]. 光学学报, 2009,29(11): 3152-3156. （EI）
[110]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 等. Ru2Si3电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(10): 1431-1438.
[111]陈茜, 谢泉, 杨创华, 等. 掺杂 Mg2Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(1): 229-235. （EI）
[112]张晋敏, 谢泉, 余平, 等. 激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi2[J]. 功能材料, 2008,39(7): 1087-1090. （EI）
[113]张晋敏, 谢泉, 梁艳, 等. 溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响[J]. 四川师范大学学报:自然科学版, 2008,31(5): 593-596.
[114]张晋敏, 谢泉, 梁艳, 等. Fe/Si 薄膜中硅化物的形成和氧化[J]. 材料研究学报, 2008,22(3): 297-302. （EI）
[115]闫万珺, 谢泉. 掺杂 β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究[J]. 半导体学报, 2008,29(6): 1141-1146. （EI）
[116]肖清泉, 谢泉, 杨吟野, 等. 环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究[J]. 海南师范大学学报, 2008,21(2): 148-152.
[117]肖清泉, 谢泉, 杨吟野, 等. 环境半导体Ca2Si薄膜制备及椭偏光谱研究[J]. 湖南工程学院学报：自然科学版, 2008,18(4): 37-39.
[118]崔冬萌, 任雪勇, 谢泉, 等. 环境友好半导体 Ca2Si 晶体生长及其性能研究[J]. 吉林大学学报: 信息科学版, 2008,26(5): 459-464.
[119]陈茜, 谢泉, 闫万珺, 等. Mg2Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学 G 辑, 2008,38(7): 825-833.
[120]朱林山, 金石声, 苟富均, 等. 低能入射Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟[J]. 半导体学报, 2007,28(11): 1748-1755. （EI）
[121]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A1): 379-383
[122]杨创华, 谢泉, 赵凤娟, 等. Ca2Si电子结构和光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4124-4128
[123]闫万珺, 谢泉, 张晋敏, 等. 铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究[J]. 半导体学报, 2007,28(9): 1381-1387. （EI）
[124]闫万珺, 谢泉, 杨创华, 等. Fe0. 875Mn0. 125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 376-378.
[125]谢泉. 纳米硅化物环境友好半导体材料的研究进展[J]. 功能材料信息, 2007,5(5): 11.
[126]任雪勇, 谢泉, 杨吟野, 等. 溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A04): 1519-1521.
[127]梁艳, 谢泉, 曾武贤, 等. 退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 373-375.
[128]金石声, 朱林山, 苟富均, 等. 低能 He+, Ar+, Xe+轰击 SiC 的蒙特卡诺模拟[J]. 功能材料, 2007,38(10): 1590-1593. （EI）
[129]陈茜, 谢泉, 闫万珺, 等. Mg2Si 电子结构及光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4119-4123.
[130]曾武贤, 谢泉, 梁艳, 等. 不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 367-369.
[131]闫万珺, 谢泉, 朱林山, 等. 固体能带计算方法[J]. 3044am永利集团3044noc学报: 自然科学版, 2006,23(1): 68-72.
[132]罗胜耘, 谢泉, 张晋敏, 等. 热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响[J]. 3044am永利集团3044noc学报：自然科学版, 2006,23(1): 81-85.
[133]谢泉, 罗姣莲, K. Yamada, K. Miyake.Ni1-xMnx（0.2＜x＜0.3）在强磁场中的GNR特性研究. 第十二届全国凝聚态物质光学性质学术会议论文（摘要）集, 2004, P245.
[134]K.Yamada, K. Miyake, Z. Honda, Q. Xie. Magneto-transport study of beta-Fe-Si alloy system in pulsed high fields up to 30T，The 8th IUMRS Int. Conf. on Advanced Materials ，Oct. 8-13, 2003, Yokohama, Japan.(SCI).
[135]K. Yamada, T. Okazaki, Y. Sakisaka, Z. Honda,K. Miyake,Q. Xie, Designed iant magnetoresistances of Ni-Mn and Fe-Si alloy syetem in high fields up to 30T. ISEF 2003 –11th International Symposium on Electromagnetic Fields in Electrical Engineering Maribor,Slovenia, September 18-20,2003，(SCI).
[136]谢泉, 刘让苏,彭平, 徐仲榆, 罗姣莲. 炭黑/硅橡胶复合型导电橡胶的导电特性[J]. 湖南大学学报, 2002, 29(2):68-73.
[137]谢泉, 侯立松, 干福熹, 阮昊,李晶,李进延. 溅射气压对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响[J].光学学报,2001, 21(3):313-316.(EI)
[138]Zheng Caixing, Liu Rangsu, Dong Kejun, Peng Ping, Liu Hairong, Xu Zhongyu, Xie Quan. Simulation study on transition mechanisms of microstructures during forming processses of amorphous metals , Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 11(1): (SCI).
[139]谢泉, 罗姣莲, 干福熹. 复合型导电硅橡胶的电阻温度特性研究[J].物理学报, 2000, 49(6):1191-1195. SCI.
[140]谢泉, 侯立松, 阮昊,干福熹, 李晶. 溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响[J]. 半导体学报,2001, 22(2):187-192. (EI)
[141]Li Jing, Gan Fuxi, Gu Zhengtian, Xie Quan, Ruan Hao, Liang Peihui. Determination of optical parameters of GeTe semiconductor films after thermal treatment. Optical Materials, 2000, 14: 337-343,(SCI).
[142]Xie Quan, Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jing, Li Jinyan, Gan Fuxi. Effect of thermaltreatment on the optical constants of Ge:Sb:Te system,Proc. OfSPIE, 2000, 4085:117 . (SCI)
[143]Xie Quan, Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jinyan, Li Jing, Gan Fuxi, Effect of preparation parameters on the optical constants of Ge2Sb2Te5 thinfilm，Proc.OfSPIE, 2000, 4085:112. (SCI)
[144]谢泉,罗姣莲, 干福熹, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 炭黑填充复合型导电硅橡胶的导电机理研究及电阻率计算[J]，长沙交通学院学报，2000, 16(3):4-7.
[145]谢泉, 侯立松, 干福熹, 阮昊, 李晶, 李进延. 溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响[J]. 材料研究学报, 2000,10:501-504.
[146]李晶, 顾铮先, 干福熹, 谢泉,阮昊, 梁培辉. 不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量[J]. 光学学报, 2000,8:1128-1133.
[147]谢泉, 罗姣莲,刘让苏, 彭平, 王理.磁敏导电硅橡胶的特性及机理[J]. 材料研究学报, 1999, 13(6):670-672.
[148]谢泉,罗姣莲,黄宏伟,干福熹. 填充粒子对复合型导电硅橡胶电阻温度特性的影响[J]. 功能高分子学报, 1999, 12(4):414-418.
[149]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao, Xie Quan, Gan Fuxi. Effects of sputtering parameters on the optical properties of AgInSbTe phase-change films. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):125. (SCI)
[150]Li Jiyong, Zhou Zheng, Liu Rangsu, Xie Quan, Peng Ping. Microstructural Transitions During the Rapid Cooling Process of Liquid Metal Al, J. Mater. Sci. Technol. 1998, 14(5):461. (SCI)
[151]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping, Xie Quan, Zheng Caixing, Stability of Microstructures During Cooling Processes of Al Liquid Metal.Trans. Nonferrous. Met.Soc. China, 1998, 8(4): (SCI)
[152]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping, Xie Quan. The High-temperature Properties of Microstructure Transitions in Liquid Metal Al, Mater. Sci. Eng. 1999, B57: 214. (SCI)
[153]Li Qinghui, Hou Lisong, Li Jinyan, Xie Quan, Gan Fuxi, Optical properties and static optical recording performance of (AgInSbTe)1-xOx films using short-wavelength laser. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):133. (SCI)
[154]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao, Xie Quan, Gan Fuxi, Effects of film thickness on the optical properties of AgInSbTe phase change films. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):129. (SCI)
[155]彭平, 刘让苏, 谢泉, 徐仲榆. 退火处理对快凝Ni-Si-B 非晶合金电阻温度特性的影响[J]. 材料科学与工艺, 1999, 4: 36.
[156]谢泉,罗姣莲,干福熹. 自然老化对导电硅橡胶电阻特性的影响[J]. 合成橡胶工业, 1999, 22(5):291-293.
[157]谢泉,罗姣莲,干福熹. 温度对导电硅橡胶电阻特性的影响[J]. 特种橡胶制品,1999, 20(6):13-16.
[158]谢泉,罗姣莲,干福熹. 自然老化对导电硅橡胶线性特性的影响[J].合成橡胶工业, 2000, 21(1):41-43.
[159]谢泉,侯立松,干福熹.信息技术的支柱-光存储[J].衡阳师范学院学报, 1999, 20(6):1-8.
[160]彭平, 刘让苏, 徐仲榆, 苏玉长, 谢泉. 热处理对快凝Ni74Si10B16非晶合金热稳定性的影响[J]. 功能材料,1999, 30(3):281-282. (EI)
[161]李基永,刘让苏, 周征, 谢泉, 彭平. 液态金属的初始状态对凝固微结构影响的模拟研究[J]. 原子与分子物理学报, 1998, 15(2):193-197.
[162]彭平,刘让苏,徐仲榆,易双萍,周征,谢泉,李基永. 快速凝固Cu70.5Al26.8Ni2.7带壮合金及其形状记忆特性[J]. 1999, 7(3):80-82.
[163]李基永,刘让苏,周征,谢泉,彭平.液态金属及其凝固过程的微观结构转变特性研究. 96年中国材料研讨会材料设计与加工, Proceedings of C-MRS.
[164]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平, 张友玉. 石墨、炭黑及白炭黑在橡胶中的微结构分析[J]. 电子显微学报,1998, 17(2):172-175.
[165]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平. 白炭黑对导电硅橡胶的线性及电阻特性的影响[J]. 材料研究学报, 1997, 11,(5):559-560.
[166]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平. 白炭黑和炭黑含量对导电硅橡胶拉敏特性影响的研究[J]. 高分子材料科学与工程,1998, 14(1):94-97.
[167]谢泉, 刘让苏, 彭平. Ni-Si-B系非晶合金的结晶度与退火温度关系的研究[J].湖南大学学报, 1995, 22(3):42-46. 俄文文摘、化学文摘收录.
[168]Peng Ping, Liu Rang-su, Xie Quan. The effect of high content of metalloid on resistivity and temperature coefficient of resistivity of amorphous TM-Malloys,MaterialsScience＆ Engineering B, 1996, B38:62-64，(SCI)
[169]Peng Ping, Liu Rang-su, Xie Quan. A Method for estimating total effective conducting electron numbers ofamorphous TM-M alloys with high metalloid content, MaterialsScience＆ Engineering B, 1996, B41:258. (SCI)
[170]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金总有效传导电子数的估算[J]. 中国有色金属学报,1997, 7(1):80-83,化学文摘收录.
[171]李基永, 刘让苏, 周征, 谢泉, 彭平. 液态金属铝及其凝固过程的微观结构转变特性[J]. 中国有色金属学报,1997, 7(3):81. (SCI)
[172]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金的电阻温度特性[J]. 材料研究学报, 1995, 9(5):395-398.
[173]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平, 陈林. 导电硅橡胶的拉敏特性及导电机理研究[J]. 特种橡胶制品,1996, 17(5):1-5.
[174]谢泉, 刘让苏, 彭平. Ni-Si-B系非晶合金的结晶度与退火时间的关系[J].湖南大学学报,1997, 24(2):14-16.化学文摘收录.
[175]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 导电硅橡胶的线性电阻特性研究[J]. 湖南大学学报, 1996, 23(4): 22-24.
[176]谢泉, 刘让苏, 彭平, 赵玉华, 徐仲榆. 白炭黑对导电硅橡胶拉敏特性的影响[J]. 合成橡胶工业, 1996, 19(4):229-231.化学文摘收录.
[177]谢泉.改进专业限选课教学方法[J].高等教育研究,1996,(1): 43.
[178]刘让苏, 彭平, 谢泉, 赵钦球. 高类金属含量非晶态合金的晶化温度研究[J]. 材料科学与工艺, 1994, 2(2):10-13.
[179]彭平, 刘让苏, 谢泉, 朱正华. 非晶态Ni72Si15B13合金电阻随拉应变可逆变化的区域[J]. 功能材料,1995, 26(5):459-461.(EI)
[180]彭平, 刘让苏, 谢泉, 薛开武. B原子浓度对非晶态Ni-Si-B 系合金电阻应变系数的影响.[J]湖南大学学报, 1996, 23(4):25-28.
[181]彭平, 刘让苏, 谢泉. B含量对非晶态Ni72-XSi15B13+x（x=0, 2, 4, 6, 8）合金脆化温度的影响[J]. 材料科学与工艺, 1996, 4(3):20-24.
[182]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金总有效传导电子数的估算及应用[J]. 材料科学与工艺, 1996, 4(4):112-115.(EI)
[183]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 自然老化对导电硅橡胶电特性的影响. 96年中国材料研讨会, Proceedings of C-MRS.
[184]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆.自然老化对导电硅橡胶的线性特性的影响.96年中国材料研讨会, Proceedings of C-MRS.等。
授权专利：
1、谢泉，张晋敏，肖清泉，梁艳，曾武贤，王衍，马道京. 制备Cr掺杂b-FeSi2薄膜的工艺方法. 发明授权专利号：ZL 2010 1 0148151.3. 授权时间：2012年4月25日，IPC分类号：C23C14/35，C23C14/02，C23C14/16；
2、谢泉，肖清泉，张晋敏，陈茜，余志强，赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 发明授权专利号：ZL 2010 1 0147304.2. 授权时间：2012年7月4日，IPC分类号：C23C14/35，C23C14/58，C23C14/06
3、谢泉，肖清泉，余宏，陈茜，张晋敏. 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺. 国家发明授权专利号：ZL 2012 1 0455881.7. 授权时间：2015年3月11日.
4、谢泉，廖杨芳，张宝晖，杨云良，肖清泉，梁枫，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予. 一种红外探测器，实用新型专利号：ZL 2015 2 0014583.3. 授权时间：2015年5月13日.
5、谢泉，廖杨芳，杨云良，肖清泉，张宝晖，梁枫，王善兰，吴宏仙，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予，一种发光二极管，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 0521746.7,授权日：2015年11月4日
6、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红，杀虫灯，外观设计专利，证书号：ZL 2015 3 0042457.1，授权日：2015年9月30日
7、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红；一种杀虫灯，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 0098848.2，授权日：2015年10月7日
8、谢泉，廖杨芳，吴宏仙，房迪，王善兰，刘小军，梁枫，肖清泉，张晋敏，陈茜，马瑞，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予，一种智能车位锁，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 1119854.8，授权日：2016年5月25日