教师简介
姓名：郭祥
职称学位：副教授/博士
研究方向： 半导体材料
办公地点：博学楼132
联系方法：xguo@gzu.edu.cn
主要经历
教育经历：
2012年09月-2015年7月3044am永利集团3044noc，微电子学与固体电子学博士
2009年09月-2012年7月3044am永利集团3044noc，微电子学与固体电子学硕士
2005年09月-2009年7月3044am永利集团3044noc，电子科学与技术本科
职业经历：
2015年10月-至今3044am永利集团3044noc，3044am永利集团3044noc，电科系
主要贡献
主持的科研项目：
[1]贵州省科技计划项目，InGaAs量子点的表面形貌与应变研究，黔科合基础[2017]1055。
参与的科研项目：
[1]国家自然科学基金，低成本AAA 级太阳能模拟器的研究，61604046。
[2]国家自然科学基金，三维有序量子点的可控制备、结构表征与物性研究，61564002。
近期发表的论文：
[1]Guo Xiang, Zhou Xun, Wang Ji-Hong, Luo Zi-Jiang, Zhou Qing, Liu Ke, Hu Ming-Zhe and Ding Zhao*. Critical surface phase of α2(2×4) reconstructed zig-zag chains on InAs(001)， Thin Solid Films Vol. 562 (2014) 326–330
[2]郭祥, 周勋, 罗子江, 王继红, 周清, 刘珂 丁召*. InAs( 001) 吸附表面的不可逆重构相变研究,《真空科学与技术学报》; Vol.33,(2013) 1266-1269
[3]郭祥, 王一, 魏文喆, 黄梦雅, 赵振, 王继红, 胡明哲, 丁召*. 不同应力下的InxGa(1-x)As薄膜表面形貌. 《材料导报》,02（2015）21-23+37
[4]郭祥，罗子江，张毕禅，尚林涛，周勋，邓朝勇，丁召*.种测定GaAs上InAs生长速率的方法，物理实验，Vol.31 (No.1) 11 (2011)