教师简介
谢泉，博士后、博士、教授、博士生导师、硕士生导师，原3044am永利集团3044noc院长，电子科学与技术学科带头人,贵州省先进光电子材料与技术创新团队负责人，贵州省电子科学与通信工程人才基地负责人，贵州省教育厅电子科学与技术特色重点学科负责人，中国中小企业融资项目评审咨询专家，国家自然科学基金同行评议专家，教育部电子信息类专业教学指导委员会委员，教育部电子信息类专业教学指导委员会教材编写委员会委员，中国仪器仪表学会高级会员，贵州省科技厅新材料专家组成员，贵州省科学决策学会常务理事，电子元件与材料期刊理事，国际期刊Phys. B 等多家期刊特约审稿人，民进贵州省委员会副主任委员，贵州省第十二届全国人大代表，3044am永利集团3044noc新型光电子材料与技术研究所所长，民进3044am永利集团3044noc基层委员会主任，3044am永利集团3044noc留学归国人员联谊会会长，贵州省留学归国人员联谊会常务理事，贵州省第八届青年联合会副主席，民进贵州省委第五、六届副主委，贵州省第九、十届政协委员。
研究方向:环境友好先进光电子材料与器件、传感器与传感系统、材料模拟与技术
办公地点:3044am永利集团3044noc崇理楼312
联系方法: 1476451077@qq.com
主要经历
本科：中南大学材料科学与工程系金属物理专业
硕士:湖南大学物理科学与微电子学院理论物理专业
博士：湖南大学化学化工学院无机非金属材料专业
博士后：中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博士后流动站
1990,7—1993,2湖南邵阳玻璃厂技术科工作
1993,3—1998,6湖南大学物理科学与微电子学院工作
1998,6—2004,2长沙理工大学物理与微电子学院工作
其中：
1998，6—2000,6 中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博
士后流动站工,
2001，10—2002,10 日本saitama 大学大学院机能材料工学科访问学者
2004,2—现在3044am永利集团3044noc电子科学与技术系工作
其中： 2015,1，8—2016,1，7，北京市顺义区政府副区长（挂职1年）
所获荣誉
1.2015年获贵州省首届研究生教学成果二等奖
2. 2014年获贵州省首批优秀博士生导师
3.2012年获贵州省科技进步三等奖
4.2009年贵州省首届青年科技创新人才奖
5．2009年获3044am永利集团3044noc优秀科研特等奖
6．2007年获贵州省五一劳动奖章
7. 2007年获第2届中国归国侨眷“科技人才创新”奖
8. 2006年获全国各民主党派、工商联、无党派人士为全面建设小康社会作贡
献全国先进个人
9. 2006年获为全面建设小康社会作贡献民进中央全国先进个人
10. 2006年获贵州省第2批优秀科技工作者
11. 2005年获民进中央全国优秀会员
12. 2007年获3044am永利集团3044noc逾十年教龄“教书育人风范奖”
13. 参加完成的科研课题获2001年国家自然科学二等奖等
主要贡献
研究项目 ：
主持的科研项目：
[1]贵州省高层次创新型人才-百层次培养项目，贵州省科技厅，2015.01-2017.12，60万，主持。
[2]贵州省特色重点学科建设-电子科学与技术，贵州省教育厅，2014.10-2017.10，20万，主持。
[3]电子科学与技术品牌特色专业建设，3044am永利集团3044noc品牌特色专业建设项目，合同号: PTJS201302，2014.1-2016.12，60万，主持，教学科研项目；
[4]贵州省电子科学与通信工程技术人才基地，贵州省委组织部贵州省第四批人才基地项目，2013.12-2016.12，100万，主持；
[5]基于环境友好半导体材料β-FeSi2、Mg2Si的光电子器件设计与研究，国家自然科学基金，合同号: 61264004，2013.1-2016.12, 50万，主持；
[6]环境友好半导体光电子材料Mg2Si红外传感器的开发研究，贵州省教育厅125重大专项，合同号：黔教合重大专项字[2012]003，2012.10-2015.12，80万，主持;
[7]贵州省先进光电子材料与技术创新人才团队，贵州省科技创新人才团队建设专项资金,合同号：黔科合人才团队[2011]4002, 2011.10-2014.10，31.5万，主持；
[8]硅化物LED光电子器件开发，贵州省科技攻关项目，合同号：黔科合GY字[2011]3015，2011.6-2014.5，35万，主持；
[9]半导体材料Si、Ge及SiGe合金液态凝固过程中的遗传特性研究，贵州省国际科技合作计划项目，合同号：黔科合外G字[2012]7004，2012.6-2014.5，10万，主持；
[10]新型环境友好半导体材料β-FeSi2及其光电子器件的研究，科技部国际合作专项项目，合同号：2008DFA52210, 2008.1-2010.12，80万，主持；
[11]新型环境友好半导体材料β－FeSi2薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用研究，贵州省信息产业厅项目，合同号：0831，2008.6-2010.6，10万，主持；
[12]环境半导体材料Ca2Si的制备与应用研究，国家自然科学基金项目，合同号：60766002， 2008.1-2010.12, 20万，主持；
[13]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术，国家自然科学基金项目，合同号：60566001，2006.1-2008.12，20万，主持；
[14]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究，贵州省优秀科技教育人才省长专项基金，合同号：黔省专合字（2005）365号，2006.1-2008.12，6万，主持；
[15]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究，国家人事部留学人员科技活动择优资助项目，2005.1-2006.12，4万，主持；
[16]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究，贵州省科技厅国际科技合作项目，合同号: 黔科合G（2005）400102，2005.1-2007.12，4万，主持；
[17]薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备，光电子特性与应用研究，教育部留学回国科研基金，合同号：教外司（2005）383，2005.1-2006.12，3万，主持；
[18]掺杂（Mn、Cr）环境半导体材料β-FeSi2的研究，贵州省优秀青年科技人才培养计划，合同号: 黔科合人20050528，2005.1-2008.12，21万，主持；
[19][15]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究，3044am永利集团3044noc引进人才科研项目，2004.6-2006.12，8万，主持；
[20]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究，贵州省留学人员科技项目，合同号：黔人项目（2004）03；2005.1-2006.12，3万，主持；
[21]纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究，省委组织部高层人才科研特助项目；2006.1-2008.12，5万，主持；
[22]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术，教育部博士点专项科研基金，合同号：20050657003, 2005.1-2006.12，6万，主持；
[23]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的开发与应用研究，贵州省教育厅重点项目，合同号：黔教科2004103,2004.9-2006.12，3万，主持；
[24]掺杂（Mn、Cr）环境半导体材料β-FeSi2的研究，教育部科学技术重点项目，合同号：206133，2005.1-2007.12，2万，主持；
附指导的博士、硕士申请的项目：
[1]磁控溅射制备环境半导体b-FeSi2及其物性研究，贵阳市科技局大学生创业科技项目，合同号：2007筑科计合同字第6-3号，2007.12-2008.12，1.2万，04级博士生张晋敏主持；
[2]环境友好半导体材料Ca2Si的物理基础及关键技术的研究。贵州省教育厅重点项目，合同号：No.2006212，2006-2009，05级博士生杨吟野主持，
[3]磁控溅射制备环境半导体Ca2Si及其性质研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合No.(2007)2177，2007-2010，05级博士生杨吟野主持
[4]新型环境半导体材料Ca2Si的物理基础与关键技术研究。贵阳市科技计划项目，合同号：No. (2006)21-4，2006-2009，1.5万，05级博士生杨吟野主持
[5]Mg2Si电子结构及光学性质的研究及其应用，贵阳市科技计划项目，合同号：筑科计（2007）6号），2008.01-2009.12，2万，06级博士生陈茜主持；
[6]Mg2Si电子结构及光学性质的研究，3044am永利集团3044noc研究生创新基金，合同号：省研究理工2007003，2007.9-2009.4，06级博士生陈茜主持；
[7]磁控溅射制备BaSi2薄膜材料及其光电特性研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2010]2002号，2010.6-2012.12，06级博士生杨子义主持，
[8]环境半导体材料BaSi2的制备工艺及其光电特性研究，贵阳市科技计划项目，合同号：[2009]筑科大合同字第6号，2009.10-2011.09，06级博士生杨子义主持，
[9]环境半导体材料Mg2Si的磁控溅射制备及其性质研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2009]2059号，2009.6-2012.5，4万，07级博士生肖清泉主持；
[10]环境半导体材料Mg2Si的制备及其光电性质研究，贵阳市科技计划项目，合同号：[2008]筑科计合同字第15-3号，2008.10-2010.9，1.2万，07级博士生肖清泉主持；
[11]液态Si凝固过程中团簇结构形成和演变特性的研究，贵州省研究生创新基金，合同号：省研理工2010010，2009.10月-2011.4，09级博士生高廷红主持;
[12]掺杂（Mr、Cr）及不同取向Ca2Si晶体电子结构及光学性质的研究，3044am永利集团3044noc研究生创新基金，合同号：校研理工2006004，2007.3-2009.2，06级硕士生赵凤娟主持;
[13]新型环境友好半导体材料Ru2Si3的电子结构及光学性质的研究，3044am永利集团3044noc研究生创新基金，合同号：校研理工2009010，2008.11-2010.2，07级硕士生崔冬萌主持;
[14]掺杂（Cr、Mn）环境半导体材料β-FeSi2的研究，贵阳市科学计划项目，合同号：2007筑科计合同字第6-1号，1.3万，2007.12-2009.12，05级硕士生梁艳主持;等。
发表论文：
[1]Ma R, Wan M, Huang J, 等. Calculation of electronic structure and mechanical properties of DO3–Fe75-xSi25Nix intermetallic compounds by first principles[J]. International Journal Of Modern Physics B, 2015: 1550087
[2]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Molecular dynamics simulation of nanocrystal formation and deformation behavior of Ti3Al alloy[J]. Computational Materials Science, 2015,98: 245-251 （SCI、EI）
[3]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Influence of the isothermal process at glass transition temperature on growths of Frank–Kasper polyhedral clusters in TiAl3 alloy[J]. Journal Of Non-crystalline Solids, 2014,406: 95-101 （SCI、EI）
[4]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Network connectivity in icosahedral medium-range order of metallic glass: A molecular dynamics simulation[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,406: 31-36 （SCI、EI）
[5]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Growth of icosahedral medium-range order in liquid TiAl alloy during rapid solidification[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,394-395: 16-21 （SCI、EI）
[6]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, et al. Glass formation and icosahedral medium-range order in liquid Ti-Al alloys[J]. Computational Materials Science, 2014: 502–508SCI（SCI、EI）
[7]Qin Xinmao, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Xie Quan. Molecular Dynamics Simulation of Graphene Bombardment with Si Ion[J]. Journal of Molecular Structure，2014，1061:19-25. (SCI)
[8]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Qin Xinmao, Xie Quan. Evolution of icosahedral clusters during the rapid solidification of liquid TiAl alloy[J].Physica B: Condensed Matter, 2014，440 :130–137.(SCI)
[9]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin. Electronic structure and ferromagnetism of Fe11NiSi4, Fe11CoSi4, Fe11CrSi4 and Fe3Si from first principles[J]. Intermetallics. 2014, 46:12-17. (SCI)
[10]YU Hong, XIE Quan, CHEN Qian. Effect of Mg-Film Thickness on the Formation of Semiconductor Mg2Si Films Prepared by Resistive Thermal Evaporation Method[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition), 2014, 29(3): 612-616. (SCI)
[11]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qin Yunxiang，Xie Quan. Structural evolutions and properities of germanium clusters during rapid cooling processes[J]. Modern Physics Letters B，2013，27 (32)：1350241-1-9.(SCI)
[12]Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg2Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705. (SCI)
[13]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin, Yan Wanjun, Guo Xiaotian. Theoretical study on the electronic structures and magnetism of Fe3Si intermetallic compound[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2013,552(3): 324-328.（SCI、EI）
[14]MA Rui, XIE Quan, HUANG Jin, GUO Xiaotian, YAN Wanjun. First Principles Study on Elastic Constants, Ferromagnetism and Electronic Structures of Alloyed Fe3Si Doped with Mo, Ti or Nb [J]. Chin.Phys. Lett. 2013, 30(12): 127104. (SCI)
[15]Ma Rui, Huang Jin, Xiong Xicheng, Fan Menghui, Yan Wanjun, Xie Quan. Structure stability and ferromagnetism of carbon alloying Fe3Si compound from first principles calculations[J]. physica status solidi (c), 2013, 10(12): 1750-1752. (EI)
[16]Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775. (SCI/ EI).
[17]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation[J]. SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2013, 56(9): 1699-1704. (SCI /EI)
[18]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Structural Properties of Liquid SiC during Rapid Solidification[J]. The Scientific World Journal. 2013, 2013: 7pages. (SCI)
[19]Yan Wanjun, Xie Quan, Gao Tinghong, Guo Xiaotian. Microstructural evolution of SiC during melting process[J]. Modern Physics Letters B, 2013, 27(31): 1350231(11pages) . (SCI)
[20]Yan Wanjun, Gao Tinghong, Guo, Xiaotian, Xie, Quan. Structural characteristics of liquid SiC during quenching process[J]. Physica Status Solidi (C), 2013, 10(12):1777-1780.(EI)
[21]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qing Yunxiang, Xie Quan. Structural properties in liquid Si during rapid cooling processes[J]. Physica B: Condensed Matter, 2013, 419: 28-31. (SCI/EI)
[22]Xiong Xicheng, Xie Quan, Yan Wanjun. Relationship between the thickness of β-FeSi2 thin film and the solar photo wavelength[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2012, 25(2): 315-319. (SCI)
[23]Zhu Changyin, Xie Quan. Simulation study of microstructure transition of liquid Ge during rapid cooling solidification[A]. Materials Science Forum, 2011:1306-1309.（EI）
[24]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. （EI）
[25]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 126-129. （EI）
[26]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of Heat Treatment on Growth of BaSi2 Film On Si (111) Substrates[A]. Materials Science Forum, 2011:1273-1276. （EI）
[27]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of annealing temperature on the structure and surface feature of BaSi2 films grown on Si (111) substrates[J]. Physics Procedia, 2011,11: 118-121. （EI）
[28]Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting Mg2Si Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169. （EI）
[29]Xiao Qingquan, Xie Quan, Yu Zhiqiang, et al. Influence of sputtering power on the structural and morphological properties of semiconducting Mg2Si films[J]. Physics Procedia, 2011,11: 130-133. (EI)
[30]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804. （SCI、EI）
[31]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002(five pages). （EI）
[32]Gao Ran, Xie Quan. Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor Ca3Si4[J]. Physics Procedia, 2011,11: 99-102. （EI）
[33]Chen Qian, Xie Quan. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of Mg2Si epitaxial on Si (111)[J]. Physics Procedia, 2011,11: 134-137. （EI）
[34]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanović V, et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132. （EI）
[35]Yang Yinye, Xie Quan. Ca2Si crystal grown selectively by R.F.MS[J]. Journal of Natural Science of Helongjiang University, 2010,27(4): 542-545. （EI）
[36]Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al. First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg2Si[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242.（SCI）
[37]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 46-51. （SCI）
[38]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81. （SCI）
[39]Zhao Fenjuan, Xie Quan, Chen Qian, et al. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of BaSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(4): 580-586. （SCI）
[40]Yang Yinye, Xie Quan, Wang Yi, et al. Directly Grown Ca2Si Films on Si(100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power[J]. Journal Of Test And Measurement Technology, 2009,23(5): 402-406. （EI）
[41]Yang Yinye, Xie Quan. Selective Growth of Ca2Si Film by Annealing the Sputtered Ca Films with Different Thickness[J]. Journal of Material s Science & Engineering, 2009,27(5): 675-678.
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授权专利：
1、谢泉，张晋敏，肖清泉，梁艳，曾武贤，王衍，马道京. 制备Cr掺杂b-FeSi2薄膜的工艺方法. 发明授权专利号：ZL 2010 1 0148151.3. 授权时间：2012年4月25日，IPC分类号：C23C14/35，C23C14/02，C23C14/16；
2、谢泉，肖清泉，张晋敏，陈茜，余志强，赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 发明授权专利号：ZL 2010 1 0147304.2. 授权时间：2012年7月4日，IPC分类号：C23C14/35，C23C14/58，C23C14/06
3、谢泉，肖清泉，余宏，陈茜，张晋敏. 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺. 国家发明授权专利号：ZL 2012 1 0455881.7. 授权时间：2015年3月11日.
4、谢泉，廖杨芳，张宝晖，杨云良，肖清泉，梁枫，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予. 一种红外探测器，实用新型专利号：ZL 2015 2 0014583.3. 授权时间：2015年5月13日.
5、谢泉，廖杨芳，杨云良，肖清泉，张宝晖，梁枫，王善兰，吴宏仙，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予，一种发光二极管，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 0521746.7,授权日：2015年11月4日
6、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红，杀虫灯，外观设计专利，证书号：ZL 2015 3 0042457.1，授权日：2015年9月30日
7、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红；一种杀虫灯，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 0098848.2，授权日：2015年10月7日
8、谢泉，廖杨芳，吴宏仙，房迪，王善兰，刘小军，梁枫，肖清泉，张晋敏，陈茜，马瑞，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予，一种智能车位锁，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 1119854.8，授权日：2016年5月25日
