王一


个人简介

姓名:王一

职称学位:高级实验师

研究方向:低维半导体材料

办公地点:崇理楼407

联系方法:ywang16@gzu.edu.cn


主要经历

教育经历:

2015年09月-至今        3044am永利集团3044noc     微电子学与固体电子学 博士在读

2012年09月-2015年06月3044am永利集团3044noc微电子学与固体电子学硕士

2008年09月-2012年06月天津理工大学光信息科学与技术本科

职业经历:

2015年09月-至今3044am永利集团3044noc实验师


主要贡献

主持的科研项目:

[1]2018年秋季3044am永利集团3044noc实验开放项目1项

[2]贵州省大学生创新创业项目1项

参与的科研项目:

[1]国家自然科学基金,低成本AAA 级太阳能模拟器的研究,61604046。

[2]国家自然科学基金,三维有序量子点的可控制备、结构表征与物性研究,61564002。


近期发表的论文:

[1]王一,杨晨,郭祥等,Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火的热力学分析[J],物理学报,67(2018):080503

[2]Yi Wang,Wen-zhe Wei,Zhao Ding,Research on the surface morphology of AlxGa1-xAs in molecular beam epitaxy[J],Appl. Phys. A 122(2016):190

[3]王一,郭祥等,生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响[J],真空科学与技术学报,Vol.34, No.4(2014):363-366

[4]王一,黄梦雅等,恒力场下一维粒子运动问题的求解[J],大学物理,Vol.33,No.1(2014):22-24

[5]Wen-zhe Wei,Yi Wang,Zhao Ding,Influence of annealing condition and multicycle AlGaAs/GaAs structures on the Al0.26Ga0.74As/GaAs surface morphology[J], Applied Surface Science, 345:400 (2015)

[6]郭祥,王一等,不同应力下的InxGa1-xAs薄膜表面形貌[J],材料导报,20(1):21(2015)

授权的国家专利:

[1]王一,丁召等,一种制备扫描隧道显微镜用纯金属探针的装置,专利号:ZL201621133628.X

[2]丁召,王一等,一种制备扫描隧道显微镜的纯钨探针的装置,专利号:ZL201320008970.7

  

奖励或荣誉:

[1]2017年全国大学生电子设计大赛贵州赛区一等奖1项,二等奖2项,三等奖2项,指导老师。

[2]2018年贵州省大学生电子设计竞赛优秀指导教师

[3]2018年贵州省大学生设计竞赛一等奖1项,二等奖1项

  


发布日期: 2018-11-15
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