教师简介

姓名：郭祥

职称学位：副教授/博士

研究方向： 半导体材料

办公地点：博学楼132

联系方法：xguo@gzu.edu.cn

主要经历

教育经历：

2012年09月-2015年7月3044am永利集团3044noc，微电子学与固体电子学博士

2009年09月-2012年7月3044am永利集团3044noc，微电子学与固体电子学硕士

2005年09月-2009年7月3044am永利集团3044noc，电子科学与技术本科

职业经历：

2015年10月-至今3044am永利集团3044noc，3044am永利集团3044noc，电科系

主要贡献

主持的科研项目：

[1]贵州省科技计划项目，InGaAs量子点的表面形貌与应变研究，黔科合基础[2017]1055。

参与的科研项目：

[1]国家自然科学基金，低成本AAA 级太阳能模拟器的研究，61604046。

[2]国家自然科学基金，三维有序量子点的可控制备、结构表征与物性研究，61564002。

近期发表的论文：

[1]Guo Xiang, Zhou Xun, Wang Ji-Hong, Luo Zi-Jiang, Zhou Qing, Liu Ke, Hu Ming-Zhe and Ding Zhao*. Critical surface phase of α2(2×4) reconstructed zig-zag chains on InAs(001)， Thin Solid Films Vol. 562 (2014) 326–330

[2]郭祥, 周勋, 罗子江, 王继红, 周清, 刘珂 丁召*. InAs( 001) 吸附表面的不可逆重构相变研究,《真空科学与技术学报》; Vol.33,(2013) 1266-1269

[3]郭祥, 王一, 魏文喆, 黄梦雅, 赵振, 王继红, 胡明哲, 丁召*. 不同应力下的InxGa(1-x)As薄膜表面形貌. 《材料导报》,02（2015）21-23+37

[4]郭祥，罗子江，张毕禅，尚林涛，周勋，邓朝勇，丁召*.种测定GaAs上InAs生长速率的方法，物理实验，Vol.31 (No.1) 11 (2011)