郭祥

 

教师简介

姓名:郭祥

职称学位:副教授/博士

研究方向: 半导体材料

办公地点:博学楼132

联系方法:xguo@gzu.edu.cn

  


主要经历

教育经历:

2012年09月-2015年7月3044am永利集团3044noc,微电子学与固体电子学博士

2009年09月-2012年7月3044am永利集团3044noc,微电子学与固体电子学硕士

2005年09月-2009年7月3044am永利集团3044noc,电子科学与技术本科

职业经历:

2015年10月-至今3044am永利集团3044noc,3044am永利集团3044noc,电科系

  


主要贡献

主持的科研项目:

[1]贵州省科技计划项目,InGaAs量子点的表面形貌与应变研究,黔科合基础[2017]1055。



参与的科研项目:

[1]国家自然科学基金,低成本AAA 级太阳能模拟器的研究,61604046。

[2]国家自然科学基金,三维有序量子点的可控制备、结构表征与物性研究,61564002。




近期发表的论文:

[1]Guo Xiang, Zhou Xun, Wang Ji-Hong, Luo Zi-Jiang, Zhou Qing, Liu Ke, Hu Ming-Zhe and Ding Zhao*. Critical surface phase of α2(2×4) reconstructed zig-zag chains on InAs(001), Thin Solid Films Vol. 562 (2014) 326–330


[2]郭祥, 周勋, 罗子江, 王继红, 周清, 刘珂 丁召*. InAs( 001) 吸附表面的不可逆重构相变研究,《真空科学与技术学报》; Vol.33,(2013) 1266-1269

[3]郭祥, 王一, 魏文喆, 黄梦雅, 赵振, 王继红, 胡明哲, 丁召*. 不同应力下的InxGa(1-x)As薄膜表面形貌. 《材料导报》,02(2015)21-23+37

[4]郭祥,罗子江,张毕禅,尚林涛,周勋,邓朝勇,丁召*.种测定GaAs上InAs生长速率的方法,物理实验,Vol.31 (No.1) 11 (2011)


  



发布日期: 2019-10-25
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