教师简介

姓名：张敏

职称学位：讲师 博士

研究方向：薄膜材料与器件制备、薄膜生长理论模拟、功能器件的设计与仿真

办公地点：3044am永利集团3044noc北校区博学楼227

联系方式：zhangm@gzu.edu.cn

主要经历

教育经历：

2017年09月-2021年07月 3044am永利集团3044noc     物理电子学              工学博士

2014年09月-2017年07月 贵州师范大学 数学（计算物理方向）    理学硕士

2010年09月-2014年07月 黄冈师范学院 物理学                  理学学士

职业经历：

2021/11月-至今 3044am永利集团3044noc，3044am永利集团3044noc，电科系，讲师

主要贡献

主持的科研项目：

[1]贵州省研究生科研基金立项课题，钛酸钡薄膜电学性能的调控与优化，黔教合YJSCXJH﹝2018﹞077；

参与的科研项目：

[1]国家自然科学基金，多铁性逆磁电效应异质结薄膜的制备与性能研究，51762010；

[2]国家自然科学基金，聚合物/氧化物纳米复合光电薄膜器件中电双稳现象的研究，51462003；

近期发表的论文：

[1]  Zhang M, Zhou X, Wang X, et al. Structure, electrical, optical and magnetoelectric properties of magnetron sputtered nanocrystalline NiFe/BaTiO3 thin films[J]. Ceramics International, 2021, 47(22): 31357-31366. (SCI二区)

[2]  Zhang M, Deng C. Scaling behavior of dynamic hysteresis in epitaxial ferroelectric BaTiO3 thin films[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2021: 160864.(SCI二区)

[3]  Zhang M, Deng C. Orientation and electrode configuration dependence on ferroelectric, dielectric properties of BaTiO3 thin films[J]. Ceramics International, 2019, 45(17): 22716-22722.(SCI二区)

[4]  Zhang M, Deng C. Magnetic, optical and electrical properties of permalloy films by DC magnetron sputtering[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2021, 32(4): 4949-4960.(SCI三区)

[5]  Zhang M, Deng C. Enhanced ferroelectric properties of BaTiO3 films via rapid thermal processing[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2020, 31(4): 3130-3136.(SCI三区)

[6]  Zhang M, Deng C. Structure, ferroelectric and energy density properties of BaTiO3 film capacitors for energy storage applications[J]. Modern Physics Letters B, 2021, 35(11): 2150179.(SCI四区)

[7]  Zhang M, Zhou X, Deng C. Study on fractal and island growth processes of thin films with a modified DLA model[J]. Modern Physics Letters B, 2019, 33(35): 1950441.(SCI四区)

[8]  Zhang M, Deng C. Fractal simulation of thin film nucleation growth process using a diffusion-limited aggregation model[J]. Modern Physics Letters B, 2018, 32(33): 1850408.(SCI四区)