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谢泉



教师简介


谢泉,博士后、博士、教授、博士生导师、硕士生导师,原3044am永利集团3044noc院长,电子科学与技术学科带头人,贵州省先进光电子材料与技术创新团队负责人,贵州省电子科学与通信工程人才基地负责人,贵州省教育厅电子科学与技术特色重点学科负责人,中国中小企业融资项目评审咨询专家,国家自然科学基金同行评议专家,教育部电子信息类专业教学指导委员会委员,教育部电子信息类专业教学指导委员会教材编写委员会委员,中国仪器仪表学会高级会员,贵州省科技厅新材料专家组成员,贵州省科学决策学会常务理事,电子元件与材料期刊理事,国际期刊Phys. B 等多家期刊特约审稿人,民进贵州省委员会副主任委员,贵州省第十二届全国人大代表,3044am永利集团3044noc新型光电子材料与技术研究所所长,民进3044am永利集团3044noc基层委员会主任,3044am永利集团3044noc留学归国人员联谊会会长,贵州省留学归国人员联谊会常务理事,贵州省第八届青年联合会副主席,民进贵州省委第五、六届副主委,贵州省第九、十届政协委员。

 

研究方向:环境友好先进光电子材料与器件、传感器与传感系统、材料模拟与技术

办公地点:3044am永利集团3044noc崇理楼312

联系方法: 1476451077@qq.com

 

主要经历

本科:中南大学材料科学与工程系金属物理专业

硕士:湖南大学物理科学与微电子学院理论物理专业

博士:湖南大学化学化工学院无机非金属材料专业

博士后:中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博士后流动站

1990,7—1993,2湖南邵阳玻璃厂技术科工作

1993,3—1998,6湖南大学物理科学与微电子学院工作

1998,6—2004,2长沙理工大学物理与微电子学院工作

其中:

1998,6—2000,6 中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博

士后流动站工,

2001,10—2002,10 日本saitama 大学大学院机能材料工学科访问学者

2004,2—现在3044am永利集团3044noc电子科学与技术系工作

其中: 2015,1,8—2016,1,7,北京市顺义区政府副区长(挂职1年)


所获荣誉


1.2015年获贵州省首届研究生教学成果二等奖

2. 2014年获贵州省首批优秀博士生导师

3.2012年获贵州省科技进步三等奖

4.2009年贵州省首届青年科技创新人才奖

5.2009年获3044am永利集团3044noc优秀科研特等奖

6.2007年获贵州省五一劳动奖章

7. 2007年获第2届中国归国侨眷“科技人才创新”奖

8. 2006年获全国各民主党派、工商联、无党派人士为全面建设小康社会作贡

献全国先进个人

9. 2006年获为全面建设小康社会作贡献民进中央全国先进个人

10. 2006年获贵州省第2批优秀科技工作者

11. 2005年获民进中央全国优秀会员

12. 2007年获3044am永利集团3044noc逾十年教龄“教书育人风范奖”

13. 参加完成的科研课题获2001年国家自然科学二等奖等


主要贡献

研究项目 :

主持的科研项目:

[1]贵州省高层次创新型人才-百层次培养项目,贵州省科技厅,2015.01-2017.12,60万,主持。

[2]贵州省特色重点学科建设-电子科学与技术,贵州省教育厅,2014.10-2017.10,20万,主持。

[3]电子科学与技术品牌特色专业建设,3044am永利集团3044noc品牌特色专业建设项目,合同号: PTJS201302,2014.1-2016.12,60万,主持,教学科研项目;

[4]贵州省电子科学与通信工程技术人才基地,贵州省委组织部贵州省第四批人才基地项目,2013.12-2016.12,100万,主持;

[5]基于环境友好半导体材料β-FeSi2、Mg2Si的光电子器件设计与研究,国家自然科学基金,合同号: 61264004,2013.1-2016.12, 50万,主持;

[6]环境友好半导体光电子材料Mg2Si红外传感器的开发研究,贵州省教育厅125重大专项,合同号:黔教合重大专项字[2012]003,2012.10-2015.12,80万,主持;

[7]贵州省先进光电子材料与技术创新人才团队,贵州省科技创新人才团队建设专项资金,合同号:黔科合人才团队[2011]4002, 2011.10-2014.10,31.5万,主持;

[8]硅化物LED光电子器件开发,贵州省科技攻关项目,合同号:黔科合GY字[2011]3015,2011.6-2014.5,35万,主持;

[9]半导体材料Si、Ge及SiGe合金液态凝固过程中的遗传特性研究,贵州省国际科技合作计划项目,合同号:黔科合外G字[2012]7004,2012.6-2014.5,10万,主持;

[10]新型环境友好半导体材料β-FeSi2及其光电子器件的研究,科技部国际合作专项项目,合同号:2008DFA52210, 2008.1-2010.12,80万,主持;

[11]新型环境友好半导体材料β-FeSi2薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用研究,贵州省信息产业厅项目,合同号:0831,2008.6-2010.6,10万,主持;

[12]环境半导体材料Ca2Si的制备与应用研究,国家自然科学基金项目,合同号:60766002, 2008.1-2010.12, 20万,主持;

[13]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术,国家自然科学基金项目,合同号:60566001,2006.1-2008.12,20万,主持;

[14]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究,贵州省优秀科技教育人才省长专项基金,合同号:黔省专合字(2005)365号,2006.1-2008.12,6万,主持;

[15]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究,国家人事部留学人员科技活动择优资助项目,2005.1-2006.12,4万,主持;

[16]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究,贵州省科技厅国际科技合作项目,合同号: 黔科合G(2005)400102,2005.1-2007.12,4万,主持;

[17]薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备,光电子特性与应用研究,教育部留学回国科研基金,合同号:教外司(2005)383,2005.1-2006.12,3万,主持;

[18]掺杂(Mn、Cr)环境半导体材料β-FeSi2的研究,贵州省优秀青年科技人才培养计划,合同号: 黔科合人20050528,2005.1-2008.12,21万,主持;

[19][15]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究,3044am永利集团3044noc引进人才科研项目,2004.6-2006.12,8万,主持;

[20]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究,贵州省留学人员科技项目,合同号:黔人项目(2004)03;2005.1-2006.12,3万,主持;

[21]纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究,省委组织部高层人才科研特助项目;2006.1-2008.12,5万,主持;

[22]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术,教育部博士点专项科研基金,合同号:20050657003, 2005.1-2006.12,6万,主持;

[23]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的开发与应用研究,贵州省教育厅重点项目,合同号:黔教科2004103,2004.9-2006.12,3万,主持;

[24]掺杂(Mn、Cr)环境半导体材料β-FeSi2的研究,教育部科学技术重点项目,合同号:206133,2005.1-2007.12,2万,主持;

附指导的博士、硕士申请的项目:

[1]磁控溅射制备环境半导体b-FeSi2及其物性研究,贵阳市科技局大学生创业科技项目,合同号:2007筑科计合同字第6-3号,2007.12-2008.12,1.2万,04级博士生张晋敏主持;

[2]环境友好半导体材料Ca2Si的物理基础及关键技术的研究。贵州省教育厅重点项目,合同号:No.2006212,2006-2009,05级博士生杨吟野主持,

[3]磁控溅射制备环境半导体Ca2Si及其性质研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合No.(2007)2177,2007-2010,05级博士生杨吟野主持

[4]新型环境半导体材料Ca2Si的物理基础与关键技术研究。贵阳市科技计划项目,合同号:No. (2006)21-4,2006-2009,1.5万,05级博士生杨吟野主持

[5]Mg2Si电子结构及光学性质的研究及其应用,贵阳市科技计划项目,合同号:筑科计(2007)6号),2008.01-2009.12,2万,06级博士生陈茜主持;

[6]Mg2Si电子结构及光学性质的研究,3044am永利集团3044noc研究生创新基金,合同号:省研究理工2007003,2007.9-2009.4,06级博士生陈茜主持;

[7]磁控溅射制备BaSi2薄膜材料及其光电特性研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合J字[2010]2002号,2010.6-2012.12,06级博士生杨子义主持,

[8]环境半导体材料BaSi2的制备工艺及其光电特性研究,贵阳市科技计划项目,合同号:[2009]筑科大合同字第6号,2009.10-2011.09,06级博士生杨子义主持,

[9]环境半导体材料Mg2Si的磁控溅射制备及其性质研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合J字[2009]2059号,2009.6-2012.5,4万,07级博士生肖清泉主持;

[10]环境半导体材料Mg2Si的制备及其光电性质研究,贵阳市科技计划项目,合同号:[2008]筑科计合同字第15-3号,2008.10-2010.9,1.2万,07级博士生肖清泉主持;

[11]液态Si凝固过程中团簇结构形成和演变特性的研究,贵州省研究生创新基金,合同号:省研理工2010010,2009.10月-2011.4,09级博士生高廷红主持;

[12]掺杂(Mr、Cr)及不同取向Ca2Si晶体电子结构及光学性质的研究,3044am永利集团3044noc研究生创新基金,合同号:校研理工2006004,2007.3-2009.2,06级硕士生赵凤娟主持;

[13]新型环境友好半导体材料Ru2Si3的电子结构及光学性质的研究,3044am永利集团3044noc研究生创新基金,合同号:校研理工2009010,2008.11-2010.2,07级硕士生崔冬萌主持;

[14]掺杂(Cr、Mn)环境半导体材料β-FeSi2的研究,贵阳市科学计划项目,合同号:2007筑科计合同字第6-1号,1.3万,2007.12-2009.12,05级硕士生梁艳主持;等。

发表论文:

[1]Ma R, Wan M, Huang J, 等. Calculation of electronic structure and mechanical properties of DO3–Fe75-xSi25Nix intermetallic compounds by first principles[J]. International Journal Of Modern Physics B, 2015: 1550087

[2]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Molecular dynamics simulation of nanocrystal formation and deformation behavior of Ti3Al alloy[J]. Computational Materials Science, 2015,98: 245-251 (SCI、EI)

[3]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Influence of the isothermal process at glass transition temperature on growths of Frank–Kasper polyhedral clusters in TiAl3 alloy[J]. Journal Of Non-crystalline Solids, 2014,406: 95-101 (SCI、EI)

[4]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Network connectivity in icosahedral medium-range order of metallic glass: A molecular dynamics simulation[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,406: 31-36 (SCI、EI)

[5]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Growth of icosahedral medium-range order in liquid TiAl alloy during rapid solidification[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,394-395: 16-21 (SCI、EI)

[6]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, et al. Glass formation and icosahedral medium-range order in liquid Ti-Al alloys[J]. Computational Materials Science, 2014: 502–508SCI(SCI、EI)

[7]Qin Xinmao, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Xie Quan. Molecular Dynamics Simulation of Graphene Bombardment with Si Ion[J]. Journal of Molecular Structure,2014,1061:19-25. (SCI)

[8]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Qin Xinmao, Xie Quan. Evolution of icosahedral clusters during the rapid solidification of liquid TiAl alloy[J].Physica B: Condensed Matter, 2014,440 :130–137.(SCI)

[9]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin. Electronic structure and ferromagnetism of Fe11NiSi4, Fe11CoSi4, Fe11CrSi4 and Fe3Si from first principles[J]. Intermetallics. 2014, 46:12-17. (SCI)

[10]YU Hong, XIE Quan, CHEN Qian. Effect of Mg-Film Thickness on the Formation of Semiconductor Mg2Si Films Prepared by Resistive Thermal Evaporation Method[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition), 2014, 29(3): 612-616. (SCI)

[11]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qin Yunxiang,Xie Quan. Structural evolutions and properities of germanium clusters during rapid cooling processes[J]. Modern Physics Letters B,2013,27 (32):1350241-1-9.(SCI)

[12]Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg2Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705. (SCI)

[13]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin, Yan Wanjun, Guo Xiaotian. Theoretical study on the electronic structures and magnetism of Fe3Si intermetallic compound[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2013,552(3): 324-328.(SCI、EI)

[14]MA Rui, XIE Quan, HUANG Jin, GUO Xiaotian, YAN Wanjun. First Principles Study on Elastic Constants, Ferromagnetism and Electronic Structures of Alloyed Fe3Si Doped with Mo, Ti or Nb [J]. Chin.Phys. Lett. 2013, 30(12): 127104. (SCI)

[15]Ma Rui, Huang Jin, Xiong Xicheng, Fan Menghui, Yan Wanjun, Xie Quan. Structure stability and ferromagnetism of carbon alloying Fe3Si compound from first principles calculations[J]. physica status solidi (c), 2013, 10(12): 1750-1752. (EI)

[16]Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775. (SCI/ EI).

[17]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation[J]. SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2013, 56(9): 1699-1704. (SCI /EI)

[18]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Structural Properties of Liquid SiC during Rapid Solidification[J]. The Scientific World Journal. 2013, 2013: 7pages. (SCI)

[19]Yan Wanjun, Xie Quan, Gao Tinghong, Guo Xiaotian. Microstructural evolution of SiC during melting process[J]. Modern Physics Letters B, 2013, 27(31): 1350231(11pages) . (SCI)

[20]Yan Wanjun, Gao Tinghong, Guo, Xiaotian, Xie, Quan. Structural characteristics of liquid SiC during quenching process[J]. Physica Status Solidi (C), 2013, 10(12):1777-1780.(EI)

[21]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qing Yunxiang, Xie Quan. Structural properties in liquid Si during rapid cooling processes[J]. Physica B: Condensed Matter, 2013, 419: 28-31. (SCI/EI)

[22]Xiong Xicheng, Xie Quan, Yan Wanjun. Relationship between the thickness of β-FeSi2 thin film and the solar photo wavelength[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2012, 25(2): 315-319. (SCI)

[23]Zhu Changyin, Xie Quan. Simulation study of microstructure transition of liquid Ge during rapid cooling solidification[A]. Materials Science Forum, 2011:1306-1309.(EI)

[24]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. (EI)

[25]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 126-129. (EI)

[26]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of Heat Treatment on Growth of BaSi2 Film On Si (111) Substrates[A]. Materials Science Forum, 2011:1273-1276. (EI)

[27]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of annealing temperature on the structure and surface feature of BaSi2 films grown on Si (111) substrates[J]. Physics Procedia, 2011,11: 118-121. (EI)

[28]Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting Mg2Si Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169. (EI)

[29]Xiao Qingquan, Xie Quan, Yu Zhiqiang, et al. Influence of sputtering power on the structural and morphological properties of semiconducting Mg2Si films[J]. Physics Procedia, 2011,11: 130-133. (EI)

[30]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804. (SCI、EI)

[31]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002(five pages). (EI)

[32]Gao Ran, Xie Quan. Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor Ca3Si4[J]. Physics Procedia, 2011,11: 99-102. (EI)

[33]Chen Qian, Xie Quan. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of Mg2Si epitaxial on Si (111)[J]. Physics Procedia, 2011,11: 134-137. (EI)

[34]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanović V, et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132. (EI)

[35]Yang Yinye, Xie Quan. Ca2Si crystal grown selectively by R.F.MS[J]. Journal of Natural Science of Helongjiang University, 2010,27(4): 542-545. (EI)

[36]Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al. First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg2Si[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242.(SCI)

[37]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 46-51. (SCI)

[38]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81. (SCI)

[39]Zhao Fenjuan, Xie Quan, Chen Qian, et al. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of BaSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(4): 580-586. (SCI)

[40]Yang Yinye, Xie Quan, Wang Yi, et al. Directly Grown Ca2Si Films on Si(100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power[J]. Journal Of Test And Measurement Technology, 2009,23(5): 402-406. (EI)

[41]Yang Yinye, Xie Quan. Selective Growth of Ca2Si Film by Annealing the Sputtered Ca Films with Different Thickness[J]. Journal of Material s Science & Engineering, 2009,27(5): 675-678.

[42]Yang Yinye, Xie Quan. A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time[J]. Journal of Materials Science, 2009,44(14): 3877-3882. (SCI、EI)

[43]Zhang Jinmin, Xie Quan, Yu Ping, et al. Preparation of α-FeSi2 by laser annealing[J]. Thin Solid Films, 2008,516(23): 8625-8628. (SCI、EI)

[44]Zhang Jinmin, Xie Quan, Zeng Wuxian, et al. Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems[J]. Journal of Semiconductors, 2007,28(12): 1888-1894. (EI)

[45]牟雪婷, 谢泉, 肖清泉, 等. 石墨和石墨烯填充导电硅橡胶的拉敏特性研究[J]. 电子元件与材料, 2015, 34(7): 24-27

[46]张宝晖, 谢泉, 肖清泉, 等. 溅射时间对于Mg2Si/Si 异质结的影响[J]. 电子元件与材料, 2015,34(7): 46-49

[47]杨云良, 廖杨芳, 姚震震, 等. Mg 膜厚度对Mg2Si 半导体薄膜结构及方块电阻的影响[J]. 半导体技术, 402015,40(7): 525-530

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[49]范梦慧, 谢泉, 岑伟富, 等. Tc-P 共掺杂单层 MoS2 光电特性的第一性原理计算[J]. 半导体光电, 2015,4: 013

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授权专利:

1、谢泉,张晋敏,肖清泉,梁艳,曾武贤,王衍,马道京. 制备Cr掺杂b-FeSi2薄膜的工艺方法. 发明授权专利号:ZL 2010 1 0148151.3. 授权时间:2012年4月25日,IPC分类号:C23C14/35,C23C14/02,C23C14/16;

2、谢泉,肖清泉,张晋敏,陈茜,余志强,赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 发明授权专利号:ZL 2010 1 0147304.2. 授权时间:2012年7月4日,IPC分类号:C23C14/35,C23C14/58,C23C14/06

3、谢泉,肖清泉,余宏,陈茜,张晋敏. 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺. 国家发明授权专利号:ZL 2012 1 0455881.7. 授权时间:2015年3月11日.

4、谢泉,廖杨芳,张宝晖,杨云良,肖清泉,梁枫,张晋敏,陈茜,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予. 一种红外探测器,实用新型专利号:ZL 2015 2 0014583.3. 授权时间:2015年5月13日.

5、谢泉,廖杨芳,杨云良,肖清泉,张宝晖,梁枫,王善兰,吴宏仙,张晋敏,陈茜,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予,一种发光二极管,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 0521746.7,授权日:2015年11月4日

6、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红,杀虫灯,外观设计专利,证书号:ZL 2015 3 0042457.1,授权日:2015年9月30日

7、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红;一种杀虫灯,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 0098848.2,授权日:2015年10月7日

8、谢泉,廖杨芳,吴宏仙,房迪,王善兰,刘小军,梁枫,肖清泉,张晋敏,陈茜,马瑞,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予,一种智能车位锁,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 1119854.8,授权日:2016年5月25日